1083 nm レーザーダイオード | PH1083DBR シリーズ
オープン価格
技術
- DBR 単一周波数レーザーチップ
- InGaAs / AlGaAs QW 活性層
- 高信頼性Epiデザイン
特徴
- 複数のパッケージが可能
- 短いパルス長さでのスペクトル安定性のためのパルス運転が可能
- CWアプリケーションのための高出力
- 高スロープ効率
説明
高出力端面発光レーザーPH1083DBRシリーズはPhotodigmがもつ高度な単一周波数レーザー技術に基づいて作製されており、回折限界の単一横モード及び縦モードのビームを出力します。端面は高出力信頼性のために不活性化されています。1083 nmレーザーダイオードのアプリケーションとしてはファイバアンプシーディング、分光器、差周波発生、および低電力DPSSの交換などが挙げられます。スペクトロスコピーシリーズの1083 nmレーザーダイオードは、準安定ヘリウム線と共振することが証明されています。
部品番号の例
説明
Absolute Maximum Rating
Parameter | Symbol | Unit | Min | Max |
---|---|---|---|---|
Storage Temperature | TSTG | °C | 0 | 80 |
Operating Temperature | TOP | °C | 5.0 | 70 |
CW Laser Forward Current, T=Top | IF | mA | – | 300** |
Pulsed Laser Forward Current, T=25°C, | IF | A | – | 1.0 |
PW=300 ns, DC=10% | ||||
Laser Reverse Voltage | VR | V | – | 2.0 |
Photodiode Forward Current 1/ 2/ | IP | mA | – | 5.0 |
Photodiode Reverse Voltage 1/ 2/ | VR | V | – | 20.0 |
Photodiode Dark Current, VR=10V, LD IF=0, 1/ 2/ | ID | nA | – | 50 |
TEC Current 1/ 2/ | ITEC | A | -2.5 | 2.5 |
TEC Voltage 1/ 2/ | VTEC | V | -6.0 | 6.0 |
Thermistor Current 1/ 2/ | ITHRM | mA | – | 1.0 |
Thermistor Voltage 1/ 2/ | VTHRM | V | – | 10 |
ESD (HBM) | – | V | – | 500 |
External Back Reflection | – | dB | – | -14 |
Lead SolderingTemperature, 10 sec. Max., 1/ 2/ | – | °C | – | 260 |
Fiber Pull Force 1/ | – | N | – | 5.0 |
Fiber Bend Radius 1/ | – | mm | – | 35 |
1/ Butterfly package , 2/ TO-8 package **Do not exceed drive current or operating power of supplied LIV
CW Characteristics at TC = 25°C unless otherwise specified
Parameter | Symbol | Unit | Min | Typ | Max |
---|---|---|---|---|---|
Center Wavelength | λc | nm | 1081 | 1083 | 1085 |
Optical Output Power @ LIV current | Po | mW | See Power Options Call-out | ||
Slope Efficiency, 1/ | ηd | W/A | 0.3 | 0.36 | |
Slope Efficiency | ηd | W/A | 0.6 | 0.72 | – |
Threshold Current | Ith | mA | – | 30 | 40 |
Laser Series Resistance | RS | Ω | – | 2.0 | 2.5 |
Laser Forward Voltage | VF | V | – | 2.0 | 2.5 |
Thermistor Resistance @25°C, 2/ | RT | KΩ | – | 10 | – |
Photodiode Dark Current, VR=10V, LD IF=0, 2/ | ID | nA | – | – | 50 |
Beam Divergence @ FWHM | θװ X θ┴ | º | – | 6 X 32 | 8 X 34 |
Laser Line Width | ∆v | MHz | – | 1 | – |
Side Mode Suppression Ratio | SMSR | dB | -30 | – | – |
Polarization Extinction Ratio, 1/ | PER | dB | -16 | -19 | – |
Laser Polarization | TE | ||||
Mode Structure | Fundamental Mode |
取り扱い上の注意
本デバイスはESDに過敏です。モジュールの取り扱い時には、必ず、接地された作業エリアで、リストストラップを使用して下さい。 常に、全てのリード線を一緒に短絡させて帯電防止容器に保存して下さい。
パッケージタイプ
CS: チップオンサブマウント
CM: Cマウント
T8: TO-8
BF: バタフライ
最小電力 (mW)
080
120
追加情報
型番 | PH1083DBR |
---|---|
パワー | 080, 120 |
パッケージ | CS, CM, T8, BF |
オプション | なし, VPS Lens, PreciseMode™ (TOSA, T8, CS), Spectroscopy-Certified™, ps, ns パルス |
メーカー | Photodigm Inc. |