0808 nm レーザーダイオード | PH808DBR シリーズ
オープン価格
技術
- DBR 単周波レーザーチップ
- InGaAs / AlGaAs QW 活性層
- 高信頼性のEpi設計
特徴
- 様々なパッケージ様式可能
- 短パルス幅でスペクトル安定性のためパルス動作
- CW 応用には高出力パワー
- 高スロープ効率
説明
PH808DBRシリーズの高出力端面発光レーザーは、Photodigmの先進的な単周波数レーザー技術に基づいています。 808nmレーザーダイオードは、回折限界の横単モードおよび縦モードビームを出力するDBRレーザーです。 ファセットは高出力信頼性のために不動態化されています。医療診断、固体レーザーポンピング、および計測アプリケーションに使用されています。
説明
Absolute Maximum Rating
Parameter | Symbol | Unit | Min | Max |
---|---|---|---|---|
Storage Temperature | TSTG | °C | 0 | 80 |
Operating Temperature | TOP | °C | 5.0 | 70 |
CW Laser Forward Current, T=Top | IF | mA | – | ** |
Pulsed Laser Forward Current, T=25°C, | IF | A | – | 0.5 |
PW=300 ns, DC=10% | ||||
Laser Reverse Voltage | VR | V | – | 0.0 |
Photodiode Forward Current 1/ 2/ | IP | mA | – | 5.0 |
Photodiode Reverse Voltage 1/ 2/ | VR | V | – | 20.0 |
Photodiode Dark Current, VR=10V, LD IF=0, 1/ 2/ | ID | nA | – | 50 |
TEC Current 1/ 2/ | ITEC | A | -2.5 | 2.5 |
TEC Voltage 1/ 2/ | VTEC | V | -6.0 | 6.0 |
Thermistor Current 1/ 2/ | ITHRM | mA | – | 1.0 |
Thermistor Voltage 1/ 2/ | VTHRM | V | – | 10 |
ESD (HBM) | – | V | – | 500 |
External Back Reflection | – | dB | – | -14 |
Lead SolderingTemperature, 10 sec. Max., 1/ 2/ | – | °C | – | 260 |
Fiber Pull Force 1/ | – | N | – | 5.0 |
Fiber Bend Radius 1/ | – | mm | – | 35 |
1/ Butterfly package , 2/ TO-8 package **Do not exceed drive current or operating power of supplied LIV
取り扱い上の注意
本デバイスは、ESC (静電放電)に過敏です。本モジュールの取り扱いは、必ず、接地された作業エリアでリストストラップを使用して下さい。常に、全てのリード線を一緒に短絡させた状態で帯電防止容器に保存して下さい。
追加情報
型番 | PH808DBR |
---|---|
パワー(mW) | 40, 80, 120, 180 |
パッケージ | BF, CS, CM, T8, 9mm, TOSA |
オプション | なし, VPS Lens, PreciseMode™ (TOSA, T8, CS), Spectroscopy-Certified™, ps, ns パルス |
メーカー | Photodigm Inc. |