0852 nm レーザーダイオード | PH852DBR シリーズ
オープン価格
技術情報
- 分布反射型単一周波数発振レーザーチップ
- InGaAs / AlGaAs 量子井戸活性層
- 高信頼性を実現するためにデザインされたエピ層
特徴
- 数種のパッケージが適用可能
- 短いパルス幅でのパルス動作でも、スペクトル安定性を実現
- CW用途用の高出力
- 高スロープ効率
説明
高出力端面発光レーザーであるPH852DBRシリーズは、Photodigmの高度単一周波数レーザー技術に基づいています。その結果、回折限界、単一横および縦モードビームが得られます。ファセットは、高出力においても信頼性を実現するために、パシベート処理が施されています。 852 nmの半導体レーザーの用途としては、セシウムベースのアプリケーション用の分光が挙げられます。
部品番号の例
説明
Absolute Maximum Rating
| Parameter | Symbol | Unit | Min | Max |
|---|---|---|---|---|
| Storage Temperature | TSTG | °C | 0 | 80 |
| Operating Temperature | TOP | °C | 5.0 | 70 |
| CW Laser Forward Current, T=Top | IF | mA | – | 200** |
| Pulsed Laser Forward Current, T=25°C, | IF | A | – | 0.5 |
| PW=300 ns, DC=10% | ||||
| Laser Reverse Voltage | VR | V | – | 0.0 |
| Photodiode Forward Current 1/2/ | IP | mA | – | 5.0 |
| Photodiode Reverse Voltage 1/2/ | VR | V | – | 20.0 |
| Photodiode Dark Current, VR=10V, LD IF=0, 1/2/ | ID | nA | – | 50 |
| TEC Current 1/2/ | ITEC | A | -2.5 | 2.5 |
| TEC Voltage 1/2/ | VTEC | V | -6.0 | 6.0 |
| Thermistor Current 1/2/ | ITHRM | mA | – | 1.0 |
| Thermistor Voltage 1/2/ | VTHRM | V | – | 10 |
| ESD (HBM) | – | V | – | 500 |
| External Back Reflection | – | dB | – | -14 |
| Lead Soldering Temperature, 10 sec. Max., 1/2/ | – | °C | – | 260 |
| Fiber Pull Force 1/ | – | N | – | 5.0 |
| Fiber Bend Radius 1/ | – | mm | – | 35 |
1/ Butterfly package , 2/ TO8 package**Do not exceed drive current or operating power of supplied LIV
CW Characteristics at TC = 25°C unless otherwise specified
| Parameter | Symbol | Unit | Min | Typ | Max |
|---|---|---|---|---|---|
| Center Wavelength | λc | nm | 850 | 852 | 854 |
| Optical Output Power @ LIV current | Po | mW | See Power Options Call-out | ||
| Slope Efficiency, 1/ | ηd | W/A | 0.3 | 0.36 | |
| Slope Efficiency | ηd | W/A | 0.6 | 0.72 | – |
| Threshold Current | Ith | mA | – | 40 | 50 |
| Laser Series Resistance | RS | Ω | – | 2.5 | 3.5 |
| Laser Forward Voltage | VF | V | – | 2.0 | 2.5 |
| Thermistor Resistance @ 25°C, 1/2/ | RT | KΩ | – | 10 | – |
| Photodiode Dark Current, VR=10V, LD IF=0,1/2/ | ID | nA | – | – | 50 |
| Laser Line Width | ∆v | MHz | – | 0.5 | 1.0 |
| Beam Divergence @ FWHM | θװ X θ┴ | º | – | 6 X 32 | 8 X 34 |
| Side Mode Suppression Ratio | SMSR | dB | -30 | – | – |
| Polarization Extinction Ratio, 1/ | PER | dB | -16 | -19 | – |
| Laser Polarization | TE | ||||
| Mode Structure | Fundamental Mode | ||||
1/ Butterfly package , 2/ TO-8 package
取り扱い上の注意
本デバイスはESDに過敏です。モジュールの取り扱い時には、必ず、接地された作業エリアで、リストストラップを使用して下さい。 常に、全てのリード線を一緒に短絡させて帯電防止容器に保存して下さい。
パッケージタイプ
CS: チップオンサブマウント
CM: Cマウント
T8: TO-8
BF: バタフライ
オプション 最小電力 (mW)
040
080
120
180
240
280
追加情報
| 型番 | PH852DBR |
|---|---|
| パワー | 040, 080, 120, 180, 240, 280 |
| パッケージ | CS, CM, T8, BF |
| オプション | なし, VPS Lens, PreciseMode™ (TOSA, T8, CS), Spectroscopy-Certified™, ps, ns パルス |
| メーカー | Photodigm Inc. |
Brand
Photodigm Inc.
Photodigm（フォトダイム） は、単一周波数DBRレーザーを自社工場での設計・製造を通して、多種・高品質の商品供給を維持しています。正規代理店として、同社製品を販売いたします。
