SAMTM – 可飽和吸収ミラー λ = 1064 nm

オープン価格

SAM 1064

  • レーザー波長: λ= 1050-1100nm
  • 飽和吸収率: A0 = 0.7-70%
  • 緩和時間: τ = 500fs-124ps

応用

  • 受動モード同期
  • Qスイッチ

商品コード: N/A 商品カテゴリー:

説明

Relaxation time τ ~ 1 ps
SAM-1064-0.7-1ps-x
SAM-1064-1-1ps-x
SAM-1064-1.5-1ps-x
SAM-1064-2-1ps-x
SAM-1064-3-1ps-x
SAM-1064-3.5-1ps-x
SAM-1064-4-1ps-x
SAM-1064-5-1ps-x
SAM-1064-6-1ps-x
SAM-1064-8-500fs-x
SAM-1064-10-1ps-x
SAM-1064-13-500fs-x
SAM-1064-18-500fs-x
SAM-1064-23-1ps-x
SAM-1064-26-1ps-x
SAM-1064-38-1ps-x
SAM-1064-70-500fs-x
Relaxation time τ ~ 3 ps
SAM-1064-3-5ps-x
SAM-1064-5-3ps-x
SAM-1064-10-5ps-x
SAM-1064-12-5ps-x
SAM-1064-14-2ps-x
SAM-1064-18-5ps-x
SAM-1064-19-4ps-x
SAM-1064-21-3ps-x
SAM-1064-30-2ps-x
SAM-1064-32-3ps-x
SAM-1064-40-3ps-x
SAM-1064-48-4ps-x
SAM-1064-50-5ps-x
SAM-1064-57-4ps-x
SAM-1064-60-4ps-x
SAM-1064-70-3ps-x
Relaxation time τ ~ 10 ps
SAM-1064-0.6-10ps-x
SAM-1064-1-10ps-x
SAM-1064-2-10ps-x
SAM-1064-4-10ps-x
SAM-1064-5-9ps-x
SAM-1064-6-10ps-x
SAM-1064-12-16ps-x
SAM-1064-19-10ps-x
SAM-1064-22-6ps-x
SAM-1064-28-15ps-x
SAM-1064-30-8ps-x
SAM-1064-38-7ps-x
SAM-1064-39-6ps-x
SAM-1064-40-9ps-x
SAM-1064-50-10ps-x
SAM-1064-50-12ps-x
SAM-1064-55-10ps-x
SAM-1064-65-10ps-x
SAM-1064-9-47ps-x
Relaxation time τ ~ 25 ps
SAM-1064-3-25ps-x
SAM-1064-4-25ps-x
SAM-1064-5-25ps-x
SAM-1064-8-25ps-x
SAM-1064-15-30ps-x
SAM-1064-17-25ps-x
SAM-1064-20-30ps-x
SAM-1064-25-25ps-x
SAM-1064-26-35ps-x
SAM-1064-28-25ps-x
SAM-1064-30-25ps-x
SAM-1064-33-30ps-x
SAM-1064-36-45ps-x
SAM-1064-50-20ps-x
Relaxation time τ ~ 100 ps
SAM-1064-10-47ps-x
SAM-1064-13-124ps-x
SAM-1064-22-47ps-x

Mounting condition x

x = 4.0-0
x = 1.0b-0
x = 1.3b-0
Heat sink for chips: FM-1.3
x = 4.0-12.7g-c / 4.0-12.7g-e
x = 4.0-12.7s-c / 4.0-12.7s-e
x = 4.0-25.0g-c / 4.0-25.0g-e
x = 4.0-25.0s-c / 4.0-25.0s-e
x = 4.0-25.4g-c / 4.0-25.4g-e
x = 4.0-25.4s-c / 4.0-25.4s-e
x = 4.0-25.0w-c / 4.0-25.0w-e
x = 4.0-25.0h-c / 4.0-25.0h-e
x = FC/PC / FC/APC
Passive heat sink PHS
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追加情報

メーカー

BATOP GmbH

Brand

BATOP GmbH

BATOPは、レーザー用過飽和吸収体 (SAM:過飽和吸収ミラー、SOC:過飽和アウトプットカプラー) 、光信号の改良のための過飽和ノイズサプレッション (SANOS) 、テラヘルツ波発生・受信用の光導電アンテナ (PCA) など、主に半導体非線形光学素子を開発しています。また、光電子デバイス用GaAsウェハー上へのGaAs/AlAs/InAs極薄多層膜の形成、ウェハー処理、デバイスの包(4)装およびテストを行っています。