Yb:YAG 結晶
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Yb3 +:YAG結晶の寿命は2F5 / 2イッテルビウムエネルギーレベル950μsで、量子欠陥はわずか約9%です。
Yb:YAG結晶は、940 nm付近でNd:YAG結晶の808 nmポンプラインよりも10倍以上広い広いポンプバンドも持っています。
Yb:YAGシステムは、ポンプダイオードの波長の熱シフトの影響を受けにくくなります。
Yb:YAGレーザーは通常、1030 nm(最強線)または1050 nmで発光します。
強力で効率的な薄型ディスクレーザーでよく使用されます。
主な特徴
- 単純な電子構造により、励起状態の吸収とさまざまな有害な消光プロセスが排除されます
- 940 nmの広い吸収帯
- 2F5 / 2イッテルビウムエネルギーレベルの長い寿命
- 低量子欠陥
- リクエストに応じて利用可能なカスタム結晶
応用例
- 材料加工、マイクロマシニング、溶接、切断
- 効率的な高出力薄型ディスクレーザー
説明
特性
分光学的および熱機械的特性 | |
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吸収ピーク波長 | 942 nm |
ピーク時の吸収断面積 | 7,7 × 10-21 cm2 |
ピーク波長での吸収帯域幅 | 18 nm |
レーザー波長 | 1030 nm |
2F5 / 2イッテルビウムエネルギーレベルの寿命 | 950 μs |
発光断面積@ 1030 nm | 2,1 × 10-20 cm2 |
屈折率@ 632,8 nm | 1,83 |
結晶構造 | キュービック |
密度 | 4,56 g / cm3 |
モース硬度 | 8,5 |
熱伝導率 | ~ 13 Wm-1 K-1 |
dn/dT | 7,8 × 10-6 K-1 |
熱膨張係数 | 6,2 × 10-6 K-1 |
典型的なドーピングレベル | 1-20 at.% |
標準仕様
Nd:YVO4 結晶 | |
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オリエンテーション | [111] |
消光比 | > 28 dB |
クリアアパーチャ | >90% |
面寸法公差 | + 0 / -0.1 mm |
長さ公差 | ±0.1 mm |
並列性エラー | <20 arcsec |
垂直誤差 | <10 arcmin |
保護面取り | <0,15 mm at 45˚ |
表面品質 | 10-5 S-D |
表面の平坦度 | <λ/10@632,8 nm |
波面歪み | λ/4@632,8 nm |
コーティング | AR(R<0,5%)@940 nm + AR(R<0,2%)@1030 nm on both faces |
レーザー誘起損傷閾値 | >10 J/cm2@1030 nm, 10 ns |
マウント | アンマウント |
製品ラインナップ
寸法 | 長さ | 端面 | ドーピング | コーティング |
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5 × 5 mm | 1 mm | Right-angle cut | 10% | AR/AR@940+1030 nm |
5 × 5 mm | 2 mm | Right-angle cut | 5% | AR/AR@940+1030 nm |
5 × 5 mm | 10 mm | Right-angle cut | 1% | AR/AR@940+1030 nm |
5 × 5 mm | 1 mm | Brewster cut | 10% | コーティングなし |
5 × 5 mm | 2 mm | Brewster cut | 5% | コーティングなし |
5 × 5 mm | 10 mm | Brewster cut | 1% | コーティングなし |
追加情報
ラインナップ | 5 × 5 mm,1 mm,Right-angle cut,10%,AR/AR@940+1030 nm, 5 × 5 mm,2 mm,Right-angle cut,5%,AR/AR@940+1030 nm, 5 × 5 mm,10 mm,Right-angle cut,1%,AR/AR@940+1030 nm, 5 × 5 mm,1 mm,Brewster cut,10%,コーティングなし, 5 × 5 mm,2 mm,Brewster cut,5%,コーティングなし, 5 × 5 mm,10 mm,Brewster cut,1%,コーティングなし |
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メーカー | Optogama |