SAMTM – 可飽和吸収ミラー λ = 2000 nm

オープン価格

SAM 2000

  • レーザー波長: λ= 1900-2050nm
  • 飽和吸収率: A0 = 2-54%
  • 緩和時間: τ = 10ps

応用

  • 受動モード同期
  • Qスイッチ

商品コード: 該当なし カテゴリー:

説明

Laser wavelength τ ~ 1920 nm
SAM-1920-2-30ps-x
SAM-1920-4-40ps-x
SAM-1920-7-10ps-x
SAM-1920-8-10ps-x
SAM-1920-18-15ps-x
SAM-1920-36-10ps-x
Laser wavelength τ ~ 1960 nm
SAM-1960-3-10ps-x
SAM-1960-4-10ps-x
SAM-1960-5-10ps-x
SAM-1960-8-10ps-x
SAM-1960-13-10ps-x
SAM-1960-15-10ps-x
SAM-1960-18-10ps-x
SAM-1960-30-10ps-x
SAM-1960-54-10ps-x
Laser wavelength τ ~ 2000 nm
SAM-2000-2-10ps-x
broadband 1700 nm – 2100 nm
SAM-2000-13-10ps-x
SAM-2000-20-10ps-x
SAM-2000-30-10ps-x
SAM-2000-36-10ps-x
SAM-2000-43-10ps-x
SAM-2000-44-10ps-x
SAM-2000-50-10ps-x

SAM mounting

x – Unmounted SAM <>/td
x = 4.0-0
Heat sink for chips: FM-1.3
x – Mounted SAM
x = 4.0-12.7g-c / 4.0-12.7g-e
x = 4.0-12.7s-c / 4.0-12.7s-e
x = 4.0-25.0g-c / 4.0-25.0g-e
x = 4.0-25.0s-c / 4.0-25.0s-e
x = 4.0-25.4g-c / 4.0-25.4g-e
x = 4.0-25.4s-c / 4.0-25.4s-e
x = 4.0-25.0w-c / 4.0-25.0w-e
x – Fiber coupled SAM
x = FC/PC / FC/APC
Passive heat sink PHS
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追加情報

メーカー

BATOP GmbH

Brand

BATOP GmbH

BATOPは、レーザー用過飽和吸収体 (SAM:過飽和吸収ミラー、SOC:過飽和アウトプットカプラー) 、光信号の改良のための過飽和ノイズサプレッション (SANOS) 、テラヘルツ波発生・受信用の光導電アンテナ (PCA) など、主に半導体非線形光学素子を開発しています。また、光電子デバイス用GaAsウェハー上へのGaAs/AlAs/InAs極薄多層膜の形成、ウェハー処理、デバイスの包(4)装およびテストを行っています。