KTP
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KTPは、LiNbO3に匹敵するEOおよび誘電特性を有しており、様々なEOデバイスにとって非常に有用です。 以下の表において、KTPと一般的に使用されているEO変調器材料の比較を示しています。これらの特性を高い損傷閾値、高平均出力における低い光損失、広い光学帯域幅、熱的および機械的安定性と組み合わせると、KTP結晶は、 特にNd:YAGレーザー、Nd:YLFレーザー、チタンサファイヤレーザー、Cr:LiSrAlF 6レーザーによって励起されるモード同期半導体レーザー用のEO変調器として用いられているLiNbO3結晶に代わる存在として期待されています。
説明
Material | Phase | Amplitude | ||||||
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– | ε | n | r pm/V | k 10 -6 /°C | n 7 r 2 / ε (pm/V) 2 | r pm/V | k 10 -6 /°C | n 7 r 2 / ε (pm/V) 2 |
KTP | 15.4 | 1.8 | 35 | 31 | 6130 | 27 | 11.7 | 3650 |
LiNbO3 | 27.9 | 2.2 | 31 | 82 | 7410 | 20.1 | 42 | 3500 |
KD*P | 48 | 1.47 | 26.4 | 9 | 178 | 24 | 8 | 178 |
LiIO3 | 5.9 | 1.47 | 6.4 | 24 | 335 | 1.2 | 15 | 124 |
追加情報
材質 | KTP, LiNbO3, KD*P, LiIO3 |
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メーカー | FOCtek |