Nd:GdVO4
オープン価格
ネオジムをドープしたバナジウム酸ガドリニウム（Nd:GdVO4）は、ダイオードレーザーの有望な材料です。Nd:YVO4結晶と同様にNd:GdVO4結晶は、結晶格子中のネオジムの優れた配位により、励起波長において高いゲイン、低い閾値、および高い吸収係数を示します。Nd:GdVO4は、高い熱伝導率の点でNd:YVO4よりも利点があります。高い光学品質のNd:GdVO4結晶の製造技術により、FOCtekは多種多様な結晶を提供することができます。我々の一般的なNd:GdVO4に含まれる機能は以下の通りです。
- Ndドーパント濃度: 0.2—3.0 atm%
- ドーパント公差: 濃度の10%以内
- 幅 X 高さ: 1X1 ~ 16X16 mm
- 長さ: 0.02 ~ 20mm
標準仕様と公差
- 配向: aカット結晶方向（+/-0.2°）
- 寸法誤差: +/-0.1mm(標準) 要望によっては高精度な +/-0.005mmも可能
- 波面歪み: <l/8@633nm
- 表面品質: スクラッチ・ディグは20/10より優れています。（MIL-O-1380A）
- 平行性 < 10 arc seconds
- 直角性: < 5 arc minutes
- 表面平坦度: <l/10 at 632.8nm
- クリアアパーチャー: 中央 95%
- 面取り: 0.15×45°
- 損傷閾値
15J/cm2以上 (コーティングされていない棒状)
700 MW/cm2 以上(コーティングされたもの)/li> - コーティング
1)AR@1063nm、R< 0.1% & HT@808nm、T>95%(coating 3-1参照)
2)HR@1063nm、R>99.8% & HT@808nm、T>95%(coating 3-2参照)
3)AR@1063 nm、R<0.1%(coating 3-3参照)
説明
注記:
Nd:GdVO4 レーザークリスタル完成品の引き合い或いは発注時には、上記仕様を明確に指定して下さい。一般的なオンラインオーダーに関しては、主仕様：Nd-ドーパント濃度、サイズ、表面品質、及びコーティングについてのみお知らせ下さい。特別注文に関しては、評価及び製造の為に詳細な仕様を明確にして下さい。
物理的及び光学的性質
| Crystal Structure | Zircon Tetragonal, space group D4h, a=b=7.21, c=6.35 |
|---|---|
| Melting Point | 1780°C |
| Density | 5.47g/ cm3 |
| Mohs Hardness | Glass-like, ~ 5 |
| Thermal Expansion Coefficient | aa=1.5×10-6/K, ac=7.3×10-6/K |
| Thermal Conductivity Coefficient | 11.7 W/m/K <110> |
| Peak Absorption Wavelength | 808.5 nm |
|---|---|
| Lasing Wavelength | 912.6 nm, 1063.1 nm, 1341.3 nm |
| Crystal Class |
Positive uniaxial, no=na=nb ne=nc no=1.9854, ne=2.1981,@ 1064nm no=2.0382, ne=2.2929, @ 532nm no=1.9977, ne=2.2198, @ 808nm |
| Thermal Optical Coefficient | dn/dT=4.7×10-6/K |
| Stimulated Emission Cross-Section | 7.60×10–19cm2@ 1064 nm |
| Fluorescent LifetimeNd=1.2 atm% | 95 μs@ 808 nm |
| Loss Coefficient | 0.003 cm-1@ 1064 nm |
| Absorption CoefficienceNd=1.2 atm% | 74 cm-1 @ 808 nm |
| Absorption LengthNd=1.2 atm% | 0.18 mm @ 808 nm |
| Intrinsic LossNd=1.2 atm% | Less 0.1% cm-1@ 1064 nm |
| Line width | 0.6 nm |
| Polarized Laser Emission | p parallel to optic axis (c-axis) |
| Diode Pumped Optical to Optical Efficiency | > 60% |
| Sellmeier Equation (for pure GdVO4 crystals) | ne2=4.734369 + 0.1216149/(l2 – 0.0523664) – 0.013927l2no2=3.8987165+0.05990622/(l2– 0.0514395) – 0.011319l2 |
Nd:GdVO4 とNd:YVO4 との特性比較
| – | Nd:GdVO4, 1.2 atm% Nd | Nd:YVO4 1.1 atm% Nd |
|---|---|---|
| Melting temperature (T°C) | 1780 | 1825 |
| Fluorescence lifetime ( t ) | 95 μs | 100 μs |
| Stimulated emission cross section ( s ) | 7.6×10 -19 cm -2 | 15.6×10 -19 cm -2 ( p -pol) |
| Absorption coefficient | 78cm -1 | 31.2 cm -1 |
| La | 0.18mm | 0.32mm |
| Threshold power | 70mw | 78mw |
| Conversion efficiency h s | 50% | 48.6% |
| Thermal conductivity coefficient | 11.7w/m/k | 5.10w/m/k |
追加情報
| 型番 | Nd:GdVO4 |
|---|---|
| メーカー | FOCtek |
