Nd:YVO4
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イットリウムバナデートは、高いゲイン、低い閾値、励起波長における高い吸収係数により人気を高めており、これは結晶格子中のネオジムの優れた配位に起因します。これらの利点により、Nd:YVO4はレーザーポインターなどの低消費電力デバイスやコンパクトなレーザーにとってNd:YAGよりも良い選択肢になります。高い光学品質のNd:YVO4結晶を作り、高度な技術によってFOCtekは幅広い種類の最終結晶を提供することができます。一般的なNd:YVO4に含まれる機能は以下の通りです。
含まれる機能
- Ndドーパント濃度: 0.1~3 atm% 濃度の10%の公差
- 幅 X 高さ: 1X1 ~ 16X16 mm
- 長さ: 0.02 ~ 20mm
標準仕様と公差
- 配向: aカット結晶方向(+/-0.2°)
- 寸法公差: +/-0.1mm(標準)、高精度なものは +/-0.005mm
- 波面歪み: <λ/8@633nm
- 表面品質: スクラッチ・ディグは20/10より優れています。(MIL-O-1380A)
- 平行性: < 10 arc seconds
- 直角性: < 5 arc minutes
- 表面平坦度: <λ/10 at 632.8nm
- クリアアパーチャー: 中央 95%
- 面取り: 0.15×45°
- 損傷閾値
15J/cm2以上 (コーティングされていない棒状)
700 MW/cm2 以上(コーティングされたもの) - コーティング
1)AR@1064nm、R< 0.1% (coating 6-1参照)
2) AR@1064nm、R< 0.1% & HT@808nm、T>95% (coating 6-2参照)
3) HR@1064nm、R>99.8% & HT@808nm、T>95%(coating 6-3参照)
4) HR@1064nm、R>99.8%、HR@532 nm、R>99% & HT@808 nm、T>95%(coating 6-4参照)
5) AR@1064 nm、R<0.1%、AR@532NM、R<0.3%(coating 6-5参照)
説明


| ピーク吸収波長 | 808nm |
|---|---|
| レーザ発振波長 | 914 nm, 1064 nm, 1342 nm |
| 結晶族 | Positive uniaxial, no=na=nbne=nc no=1.9573, ne=2.1652,@ 1064nm no=1.9721, ne=2.1858, @ 808nm no=2.0210, ne=2.2560, @ 532nm |
| 熱光学係数 | dna/dT=8.5×10-6/K,dnc / dT=3.0×10-6/K |
| 誘導放出断面 | 25.0×10-19cm2 , @ 1064 nm |
| 蛍光寿命 Nd=1.2 atm% | 90 μs @ 808 nm |
| 蛍光寿命 Nd=2.0 atm% | 50 μs @ 808 nm |
| 吸収係数 Nd=1.1 atm% | 31.4 cm-1 @ 808 nm |
| 吸収長 Nd=1.1 atm% | 0.32 mm @ 808 nm |
| 極限損失 Nd=1.1 atm% | Less 0.1% cm-1 , @ 1064 nm |
| ゲイン帯域幅 | 0.96 nm (257GHz)@ 1064nm |
| 偏光レーザー発振 | π polarization; parallel to optic axis (c-axis) |
| ダイオード励起光ー光効率 | > 60% |
| セルマイヤー方程式 (YVO4純結晶) | no2=3.77834+0.069736/(l2 – 0.04724) – 0.0108133.l2 ne2=4.59905+0.110534/(l2 – 0.04813) – 0.0122676.l2 |
| 原子密度 | ~1.37×1020 atoms/cm2 |
|---|---|
| 結晶構造 | Zircon Tetragonal. space group D4h, a=b=7.12, c=6.29 |
| 密度 | 4.22 g/cm2 |
| モース硬度 | Glass-like, ~5 |
| 熱膨張係数 | αa=4.43×10-6 /K, αC=11.37×10-6/K |
| 熱伝導率 | ║C:5.23 W/m/K; ┴ C: 5.10W/m/K |
Nd:YVO4 クリスタルの扱い方
FOCTEKからクリスタルを受領時には、有資格者のみが清浄な環境下で内装を開封できるように確実に取り計らって下さい。研磨面やコーティング面に指紋や油脂などの異物が付着して汚さないようにして下さい。もし、表面を汚れてしまった場合には、 エア・ボールで表面をブローして下さい。それでも、クリスタルの表面に残った汚れには、 清浄液を付けたソフトシルクで表面を清掃して下さい。清浄液としては、50%の高純度アルコールと50%の高純度エーテルとの混合液を推奨します。汚れている表面は非常に容易に損傷することを周知徹底して下さい。研磨面が曇ったり損傷したりした場合には、FOCTEKに再研磨およびコーティングをご用命下さい。
クリスタル表面のマーク
一般的なカットNd:YVO4の表面には、光軸に対して垂直なドットマークが付されています。入射面と出射面とでコーティングが異なっている場合には、クリスタルの側面に入射面から出射面に向かって矢印マークが付されています。
スタンダード製品シリーズ
Foctek は、ダイオード励起レーザのスタンダードシリーズキットを多数用意しており、下記リストよりご所望の製品を容易に選ぶことが出来ます。
| Part | Size(mm) | Nd | Coatings | |
|---|---|---|---|---|
| S1 | S2 | |||
| NYV001 | 3x3x1 | 0.5% | AR@ 1064nm, HT@ 808nm | AR@ 1064nm, |
| NYV002 | 3x3x1 | 1% | AR@ 1064nm, HT@ 808nm | AR@ 1064nm, |
| NYV003 | 3x3x1 | 1% | HR@ 1064nm, HT@ 808nm, | AR@ 1064nm, |
| NYV004 | 3x3x1 | 1% | HR@ 1064nm,HT@ 808nm,HR@ 532nm | AR@ 1064nm, |
| NYV005 | 3x3x3 | 0.5% | AR@ 1064nm, HT@ 808nm | AR@ 1064nm, HT@ 808nm |
| NYV006 | 3x3x3 | 0.5% | HR@ 1064nm, HT@ 808nm | AR@ 1064nm, HT@ 808nm |
| NYV007 | 3x3x5 | 0.5% | AR@ 1064nm, HT@ 808nm | AR@ 1064nm, HT@ 808nm |
| NYV008 | 3x3x8 | 0.5% | AR@ 1064nm, HT@ 808nm | AR@ 1064nm, HT@ 808nm |
| NYV009 | 3x3x12 | 0.5% | AR@ 1064nm, HT@ 808nm | AR@ 1064nm, HT@ 808nm |
| NYV010 | 3x3x3 | 1.0% | AR@ 1064nm, HT@ 808nm | AR@ 1064nm, HT@ 808nm |
| NYV011 | 3x3x3 | 1.0% | HR@ 1064nm, HT@ 808nm | AR@ 1064nm, HT@ 808nm |
| NYV101 | 3x3x0.5 | 3.0% | HR@ 1064nm, HR@ 532nm,HT@ 808nm | AR@ 1064nm&532 nm |
| NYV102 | 3x3x1 | 1.0% | HR@ 1064nm, HR@ 532nm,HT@ 808nm | AR@ 1064nm&532 nm |
| NYV103 | 3x3x1 | 2.0% | HR@ 1064nm, HR@ 532nm,HT@ 808nm | AR@ 1064nm&532 nm |
| NYV104 | 3x3x3 | 1.0% | HR@ 1064nm, HR@ 532nm,HT@ 808nm | AR@ 1064nm&532 nm |
| NYV105 | 3x3x5 | 0.5% | HR@ 1064nm, HR@ 532nm,HT@ 808nm | AR@ 1064nm&532 nm |
| NYV106 | 3x3x2 | 1.0% | HR@ 1064nm, HR@ 532nm,HT@ 808nm | AR@ 1064nm&532 nm |
| NYV107 | 3x3x2 | 0.5% | HR@ 1064nm, HR@ 532nm,HT@ 808nm | AR@ 1064nm&532 nm |
FOCtekは、非常にコンパクトなダイオード励起グリーンレーザ用に、新製品(Nd:YVO 4 +KTP)のシリーズを開発しています。Nd:YVO 4 及び KTP クリスタルは下記に示す如く接合されています。

Nd:YVO4 +KTP cemented series
| Part# | Nd:YVO4 Nd-3% | KTP ( q =90°, f =23.5° ) | ||
|---|---|---|---|---|
| Size(mm) | Coatings: S1 | Size | Coating: S4 | |
| NKC001 | 1x1x0.5 | HR@ 1064nm HT@ 808nm |
1x1x2 | HR@ 1064nm HT@ 532nm |
| NKC002 | 2x2x0.5 | 2x2x2 | ||
| NKC003 | 1x1x0.5 | HR@ 1064nm HR@ 532nm HT@ 808nm |
1x1x2 | |
| NKC004 | 2x2x0.5 | 2x2x2 | ||
注記:
1) コーティング仕様: AR@ 1064nm, R<0.1%; HR@ 1064nm, R>99.8%; HR@ 532nm, R>98%
HT@ 808nm, T>95%;
2) 上記チャートに記載の単価は、少量(1-10pcs)受注時のものであり、大量発注に関しては弊社営業までボリュームディスカウントについてお問い合わせ下さい。
Nd:YVO 4 の特性、 Nd:YAGと比較して表示
| Nd:YAG, 1 atm% Nd | Nd:YVO 4 1 atm% Nd | |
|---|---|---|
| 蛍光寿命 ( t ) | 230 m s | 100 m s |
| 誘導放出断面積( s ) | s 21=2.7-8.8×10-19cm-2 | 15.6×10-19cm-2( p -pol) |
| 吸収係数 | 7.1cm -1 | 31.2 cm -1 |
| La | 1.41mm | 0.32mm |
| 閾値電力 | 115mw | 78mw |
| 変換効率 h s | 38.6% | 48.6% |
| 熱伝導率 | ||c:14w/m/k ^ c: 10.5w/m/k |
||c:5.23w/m/k ^ c: 5.10w/m/k |
| 最高ドーパントレベル | 1.2% | 3% |
| 同一の出力電力の結晶長(<200mw) | ~5mm (1%) | ~0.5mm (3%) ~1mm (1%) |
| Crystals length for the same output power(~2w) | ~50(1%) | 5mm(0.5%) |
追加情報
| 型番 | NYV001, NYV002, NYV003, NYV004, NYV005, NYV006, NYV007, NYV008, NYV009, NYV010, NYV011, NYV101, NYV102, NYV103, NYV104, NYV105, NYV106, NYV107, NKC001, NKC002, NKC003, NKC004 |
|---|---|
| メーカー | FOCtek |




